Infineon, 기존 300mm 실리콘 장비로 세계 첫 300mm SiC 전력소자 웨이퍼 처리 성공

유럽에서 DRAM 생산 다시 시작해 줄 수 있나? 20년 전엔 됐으니까 지금이 경제적으로 가장 좋은 기회일 텐데.

메모리 패키징이 만만한 일이 아니고 유럽엔 그 분야 플레이어가 없음. 한국, 대만, 미국, 중국이 주력이고 캐펙스도 대부분 아시아와 미국에 몰려 있어.

몇 년만 지나면 DRAM은 또 돈 잃는 구간이 되는데 굳이 왜 하겠음.

유럽 투자자와 정부가 리스크를 싫어함. DRAM은 실리콘 제품 중에서도 제일 위험한 축이라, 유럽 땅에서 만들려면 수백억 유로대 세금 손실을 각오해야 함. 한국과 미국 팹이 증설하면 가격은 곤두박질치고 몇 년간 1유로도 못 벌어.

섹시해 보이진 않지만 이건 큰 뉴스임. 전력 반도체는 국방이랑 산업 현장 대부분에 들어가니까. 새 게이밍 PC 없이도 살 수는 있지만 트럭이나 자동차 부품 없이는 못 삼.

그 논리는 좀 웃기네. Infineon이 게이밍 시장이랑 트럭 시장 중에 하나를 고르는 처지라고 생각함?

트럭이랑 자동차는 그런 칩 없이도 수십 년 잘만 굴러갔음.

그 논리대로면 30년 된 디젤차도 충분하고 디젤 엔진 만드는 게 칩 만드는 것보다 국방에 중요하다는 결론까지 감. 실제로는 CPU랑 GPU 파는 쪽이 Infineon이랑 EU가 하는 것보다 훨씬 돈이 되고 자주권 측면에서도 더 중요함.

GaN이랑 비교하면 어떤 쪽이 나음?

SiC는 고전압용, GaN은 고스위칭 주파수용임.

GaN은 역회복이 아예 없고 게이트-소스 커패시턴스랑 문턱전압이 훨씬 작아서 주파수를 확 올릴 수 있음. 대신 열전도가 나쁘고 650V 넘어가면 수직 MOSFET 기술이 없어서 다이가 커져. SiC는 슈퍼 실리콘에 가깝고 1200V, 1700V가 경제성 있게 나옴. 10~100kW급 고전력은 SiC가 최고고, 그보다 위는 수동 소자가 커져서 Si IGBT로 감.

GaN은 100~650V가 최적임. 48V나 상용 전원 쪽이고, 수직형 GaN 소자는 아직 못 만들어서 고내압에서 손해를 봄.

Wolfspeed가 올해 초에 이미 300mm 찍은 걸로 아는데?

기판을 처음 만들었다는 주장이 아니라, 그 웨이퍼를 기능하는 전력 소자로 처리한 게 처음이라는 뜻 같은데.

Wolfspeed/Cree는 팹이 없고 웨이퍼도 안 만듦. 연구랑 라이선스 회사에 조명기구 파는 사업이 붙은 정도임.

왜 300mm로 넘어오는 데 이렇게 오래 걸렸는지 궁금함. 기존 300mm 실리콘 장비를 쓴다면서.

다이가 커지면 재료도 많이 쓰고 그만큼 불순물이 결정을 망칠 확률이 올라감. 나인 나인 맞추는 것도 빡센데 자릿수를 더 올리는 건 진짜 지옥임.

SiC는 실리콘처럼 Cz 공정을 못 씀. 상온 근처에선 녹지도 않으니까 용융 기반 기법 자체가 안 통함. 열특성은 좋은데 결정 키우기엔 최악임.

SiC 랩에서 박사 했는데, 실리콘과 SiC의 공통점은 앞 일곱 글자가 같다는 것뿐임. 그 뒤로는 다 달라.

Infineon이 LLM 칩을 안 한다는 게 의외임. 린츠에 애플 5G 모뎀 팀이랑 LSTM 만든 Hochreiter가 바로 옆에 있는데. AI 책임자 인터뷰 봤더니 그냥 LLM 쓰는 얘기만 하더라.

걔네는 전력이랑 아날로그, 차량·산업용 디지털 로직을 하고 최첨단 미세공정 로직은 안 함. 세상의 나머지 칩을 만들어 주는 사람도 필요한 거고, 그게 중국으로 넘어가는 것보단 낫지.