Z3의 릴레이 메모리에서 SRAM까지: 컴퓨터를 끌어올린 것은 '작업 기억'이다
- 컴퓨터 발전의 병목은 Zuse의 설계가 아니라 전자식 작업 기억(working memory) 회로였으며, 20세기 마지막 해까지 RAM 제약이 개인용 컴퓨터에 가장 큰 짐이 됨
- Zuse의 Z3 메모리 장치는 릴레이 방식이고 전자기 릴레이의 속도는 수십 Hz 수준이라 Zuse도 처음부터 한계 기술로 보고 나치 정권의 장기 자금을 노렸으나 지원은 끝내 끊김
- Eccles와 Jordan이 1918년 영국 특허 'Improvements in ionic relays'로 공개한 진공관 비안정 회로가 관식 기억 회로의 설계 원형이 됨
- 릴레이 래치와 진공관 회로는 모두 현대 용어로 SR 래치이며, 오늘날 다수의 MCU와 CPU 다이에 들어가는 저전력 고속 SRAM 셀과 동작 원리가 같음
- 릴레이 래치에서 set 버튼을 누르면 릴레이가 여기되어 병렬 접점이 닫히고 스스로 전원을 유지하므로, 평시 닫힌(reset) 버튼이 전류를 끊어야만 상태가 풀림
Hacker News opinions
코어 메모리가 전원이 꺼져도 데이터를 남기는 비휘발성이라서, 수십 년 뒤 창고에서 발견된 코어 스택이 마지막에 쓴 내용을 아직 들고 있을 수 있음. 근데 읽을 기회가 딱 한 번뿐이라는 게 함정이고, 그런 실제 발견 사례 글은 본 기억이 잘 없음.
자성 드럼 기억장치도 비슷한 원리임. 회전하는 자기 매체는 자화 상태가 남으니까 전원과 별개로 기록이 유지되지.